戦略的創造研究推進事業(CRESTタイプ)研究員募集のご案内
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概要
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独立行政法人科学技術振興機構(JST)の戦略的創造研究推進事業の研究領域「新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製」の研究課題「強相関界面エンジニアリングによるスピントンネル機能の巨大化」(研究代表者:赤穂
博司)では、強相関遷移金属酸化物のスピン完全偏極強磁性に焦点をあて、巨大スピントンネル機能やスピン注入機能を用いた新規デバイスの研究を実施しています。この研究の基礎的分野を担う、低温スピンSEMを用いた強相関磁性材料の磁気構造研究を希望する博士研究員を募集します。(超高真空、 極低温、電子線技術を有するものが望ましいが、経験は問いません。)
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勤務地
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独立行政法人産業技術総合研究所 強相関電子材料研究センター
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所在地
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〒305-8568 茨城県つくば市東1-1-1 中央第4
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職種
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ポストドクター
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勤務形態
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常勤
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募集人員
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1名
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任期
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1年(更新可、最長2007年9月まで)
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研究分野
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理学、物理学
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応募資格
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博士号取得者又は着任までに取得見込みの者、研究分野:磁性
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応募締切
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2004年7月30日(金)
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着任時期
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決定後できるだけ早い時期
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待遇
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独立行政法人科学技術振興機構規定による(交通費支給、健康保険、厚生年金保険制度有)
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応募書類
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a. 履歴書
b. 業績リスト
c. これまでの研究と今後の抱負についてA4用紙1〜2枚に要約したもの
d. 代表的な論文の別刷り数点
e. 推薦状1通
f. 意見を伺える方2名の連絡先
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選考方法
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面接の上決定
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採否の決定
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個別に連絡
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書類送付先
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〒3305-8562 茨城県 つくば市東1-1-1 中央第4
独立行政法人産業技術総合研究所 強相関電子材料研究センター (CERC)副センター長 赤穗 博司 TEL:029-861-5526 ( h-akoh@aist.go.jp ) ※簡易書留で「JST研究員」と朱筆
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担当者
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小池和幸(北大・理・物理) ※詳細は、担当者にお問い合わせください。
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E-mail
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koike@phys.sci.hokudai.ac.jp
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TEL
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011-706-2685
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