革新的研究開発推進プログラム ImPACT

H30年度 公開成果報告会

モバイル機器やクラウドコンピューティングの普及により、ICT(情報通信技術)が日常生活を大きく変える時代になりました。また、最近ではビッグデータやIoT (Internet of Things)、AI(人工知能)技術も大きく進展し、デジタル情報量はさらに拡大しているため、それに伴う情報機器の増大する消費電力を減らす事が社会的課題の一つであると言えます。

そこで本ImPACT佐橋プログラムでは、電圧で磁気メモリに情報を記録する究極の低消費電力不揮発性メモリと革新的スピントロニクスとロジックインメモリ設計を駆使した超省電力スピントロニクス論理集積回路を実現し、特にエッジ側において社会的課題を解決する基盤技術の構築に挑んでいます。具体的には、SRAM等揮発性メモリを不揮発性の磁気メモリ(MRAM)に置き換える非連続イノベーションに挑み、メンテナンスフリーのIoTセンサーネットワークや無充電で長時間使用可能なモバイル機器の実現を目指しています。この技術革新はAI/ディープラーニングや全自動運転へと波及し、DRAMやストレージクラスメモリ(SCM)がMRAMで実現される等スピードギャップを埋める形でメモリ階層変革を惹起し、各機器や現場が分散型で知能を持つ超低消費電力エッジデバイスやAIエッジコンピューティングの実現など産業や社会を大きく変革し、安全・安心かつ便利な高度知的エコ社会を実現します。本報告会では、最終年度を迎えたImPACTプログラムの研究開発成果をご紹介させて頂きます。

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