中村不均一結晶プロジェクト

1.　研究の概念と目的 Background and Objectives(PDF370:KB)

2.　プロジェクトの構成 Organization of the project(PDF:717KB)

3.　主な実績 Achievements

・全体要約 Summary(PDF:702KB)

　　3.1　Bulk Growth of III-Nitride
　　　　　 (III 族窒化物のバルク成長)(PDF:98KB)

　　3.2　Growth and characterization of nonpolar and semipolar GaN
　　　　　（非極性、半極性GaN の成長と評価）(PDF:174KB)

　　3.3　Fabrication of nonpolar and semipolar LEDs
　　　　　（非極性、半極性LED の作製）(PDF:154KB)

　　3.4　Nonradiative points defect in GaN and origin of localized excitons in InGaN
　　　　　（GaN の非輻射性点欠陥とInGaN における局在励起子の起源）(PDF:200KB)

　　3.5　Characterization of nonpolar AlGaN/GaN and InGaN/GaN quantum wells
　　　　　（非極性AlGaN/GaN、InGaN/GaN 量子井戸の評価）(PDF:139KB)

　　3.6　Characterization of nonpolar m-plane InGaN/GaN quantum well LEDs
　　　　　（非極性InGaN/GaN 量子井戸LED の評価）(PDF:105KB)

　　3.7　Nitride MOVPE Simulation
　　　　　（窒化物ＭＯＶＰＥ成長シミュレーション）(PDF:172KB)

　　3.8　Nitride Photocatalysis （窒化物光触媒）(PDF:112KB)

　　3.9　Structural Characterization of MOVPE-Grown GaN Layers on r-Plane Sapphire Substrates
　　　　　(r 面サファイア上MOVPE 成長GaN の構造解析)(PDF:124KB)

4.　今後の展望 Future Perspective(PDF:85KB)

5.　外部発表、パテント、その他 Publications, Patents, and Awards(PDF:2,056KB)