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研究成果集

中村不均一結晶プロジェクト

目次

1. 研究の概念と目的 Background and Objectives(PDF370:KB)

2. プロジェクトの構成 Organization of the project(PDF:717KB)

3. 主な実績 Achievements

・全体要約 Summary(PDF:702KB)

  3.1 Bulk Growth of III-Nitride
      (III 族窒化物のバルク成長)
(PDF:98KB)

  3.2 Growth and characterization of nonpolar and semipolar GaN
     (非極性、半極性GaN の成長と評価)
(PDF:174KB)

  3.3 Fabrication of nonpolar and semipolar LEDs
     (非極性、半極性LED の作製)
(PDF:154KB)

  3.4 Nonradiative points defect in GaN and origin of localized excitons in InGaN
     (GaN の非輻射性点欠陥とInGaN における局在励起子の起源)
(PDF:200KB)

  3.5 Characterization of nonpolar AlGaN/GaN and InGaN/GaN quantum wells
     (非極性AlGaN/GaN、InGaN/GaN 量子井戸の評価)
(PDF:139KB)

  3.6 Characterization of nonpolar m-plane InGaN/GaN quantum well LEDs
     (非極性InGaN/GaN 量子井戸LED の評価)
(PDF:105KB)

  3.7 Nitride MOVPE Simulation
     (窒化物MOVPE成長シミュレーション)
(PDF:172KB)

  3.8 Nitride Photocatalysis (窒化物光触媒)(PDF:112KB)

  3.9 Structural Characterization of MOVPE-Grown GaN Layers on r-Plane Sapphire Substrates
     (r 面サファイア上MOVPE 成長GaN の構造解析)
(PDF:124KB)

4. 今後の展望 Future Perspective(PDF:85KB)

5. 外部発表、パテント、その他 Publications, Patents, and Awards(PDF:2,056KB)


 
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