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論文リスト

舛本単一量子点プロジェクト(2000年12月現在)

I. Papers

  1. Masumoto, Y. Persistent hole burning in semiconductor nanocrystals. J. Lumin. 70, 386 −399 (1996).
  2. Ren, H.-W.; Nishi, K.; Sugou, S.; Sugisaki, M.; Masumoto, Y. Control of InAs self-assembled islands on GaAs vicinal surfaces by annealing in gas-source molecular beam epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys. 36 (6B), 4118− 4122 (1997).
  3. Matsumoto, T.; Masumoto, Y.; Takagawara, T.; Hashimoto, M.; Ueno, K.; Koshida, N. Electroluminescence from deuterium terminated porous silicon. Jpn. J. Appl. Phys. 36(8B-2), L1089−L1091 (1997).
  4. Matsumoto, Y.; Masumoto, T.; Nakashima, S.; Mimura, H.; Koshida, N. Coupling effect of surface vibration and quantum confinement carriers in porous silicon. Appl. Surf. Sci. 113/114, 140− 144 (1997).
  5. Ikezawa, M.; Masumoto, Y.; Takagahara, T.; Nair, S.V. Biexciton and triexciton states in quantum dots in the weak confinement regime. Phys. Rev. Lett. 79, 3522 −3525 (1997).
  6. Masumoto, Y.; Kawazoe, T.; Matsuura, N. Exciton-confined-phonon interaction in quantum dots. J. Lumin. 76&77, 189− 192 (1998).
  7. Okuno, T.; Ren, H.-W.; Sugisaki, M.; Nishi, K.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Time-resolved luminescence of InP quantum dots in a Ga0.5In0.5P matrix: Carrier injection from the matrix. Phys. Rev. B 57(3), 1386 −1389 (1998).
  8. Ren, H.-W.; Nishi, K.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Size quantization in InAs/GaAs self-assembled quantum dots grown by gas-source molecular beam epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys. 37 (3B, Part1), 1548− 1551 (1998).
  9. Ren, H-W.; Sugisaki, M.; Sugou, S.; Nishi, K.; Masumoto, Y. Indium segregation and its influence to the quantum structures in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. J. Surf. Analysis. 4, 350− 354 (1998).
  10. Zimin, L.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. LO phonon renormalization in optically excited CuCl nanocrystals. Phys. Rev. Lett. 80, 3105− 3108 (1998).
  11. Okuno, T.; Ren, H.-W.; Sugisaki, M.; Nishi, K.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Time-resolved luminescence study of InP quantum dots in GaInP matrix. Solid State Electron. 42, 1319−1324 (1998).
  12. Sugisaki, M.; Ren, H.; Sugou, S.; Nishi, K.; Masumoto, Y. Sharp photoluminescence lines of InAs quantum dot embedded in GaAs mesa. Solid State Electron. 42, 1325 −1330 (1998).
  13. Matsumoto, T.; Kondo, M.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. Inverted Staebler-Wronski effect in nanocrystalline silicon. J. Non-Cryst. Solids. 227− 230, 320−323 (1998).
  14. Prabhakaran, K.; Matsumoto, T.; Ogino, T.; Masumoto, Y. Fabrication of multiperiod Si/SiO 2/Ge layered structure through chemical bond manipulation. Appl. Phys. Lett. 72, 3169− 3171 (1998).
  15. Matsumoto, T.; Mimura, H.; Koshida, N.; Masumoto, Y. The density of states in silicon nanostructures determined by space-charge-limited current measurements. J. Appl. Phys. 84, 6157− 6161 (1998).
  16. Lee, J.S.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. In0.5Ga0.5As quantum dot intermixing and evaporation in GaAs capping layer growth. J. Appl. Phys. 84, 6686−6688 (1998).
  17. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Nishi, K.; Sugou, S.; Okuno, T.; Masumoto, Y. Magnetic field effects in InP self-assembled quantum dots. Physica B 256-258, 169 −172 (1998).
  18. Ren, H.-W.; Sugisaki, M.; Lee, J.S.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Highly uniform and small InP/GaInP self-assembled quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Part1, No.1B), 507− 510 (1999).
  19. Matsumoto, T.; Mimura, H.; Koshida, N.; Masumoto, Y. Deep-level energy states in nanostructural porous silicon. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Part1, No.1B), 539 −541 (1999).
  20. Masumoto, Y.; Davydov, V.; Ignatiev, I.; Ren, H.-W.; Sugou, S. Observation of Franz-Keldysh oscillations in InP self-assembled quantum dot systems. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Part1, No.1B), 563− 565 (1999).
  21. Masumoto, Y. Persistent spectral-hole-burning in semiconductor quantum dots and its application to spectroscopy. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Part1, No.1B), 570− 576 (1999).
  22. Nair, S.V.; Masumoto, Y. Exciton-phonon interaction and phonon frequency renormalization in semiconductor quantum dots. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Part1, No.1B), 581 −584 (1999).
  23. Matsumoto, T.; Arata, G.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. Effect of surface termination on the electronic states in nanocrystalline porous silicon. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Part1, No.1B), 589− 592 (1999).
  24. Okuno, T.; Ren, H.-W.; Sugisaki, M.; Nishi, K.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Temperature dependence of luminescence decay time of InP quantum disks. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 1094-1097 (1999).
  25. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Nair, S.V.; Nishi, K.; Sugou, S.; Okuno, T.; Masumoto, Y. Optical anisotropy in self-assembled InP quantum dots. Phys. Rev. B 59, 5300 −5303 (1999).
  26. Tokunaga, E.; Ivanov, A.L.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. Inverse exciton series in the optical decay of an excitonic molecule. Phys. Rev. B 59, 7837 −7840 (1999).
  27. Ren, H.-W.; Sugisaki, M.; Sugou, S.; Nishi, K.; Gomyo, A; Masumoto, Y. Lateral composition modulation induced optical anisotropy in InP/GaInP quantum dot system. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2438− 2441 (1999).
  28. Matsumoto, T.; Qi, J.: Mimura, H.; Koshida, N.; Masumoto, Y. Determination of localized states in porous silicon. J. Lumin. 80, 203− 206 (1999).
  29. Matsumoto, T.; Qi, J.: Mimura, H.; Koshida, N.; Masumoto, Y. Deep level energy states in porous silicon and porous silicon carbide determined by space-charge-limited current measurements. Applied Surface Science. 142, 569 −573 (1999).
  30. Takahashi, M.; Toriumi. Y.; Matsumoto, T.; Masumoto, Y.; Koshida, N. Characteristics of silicon-based optical resonators and waveguide (Fabrication of porous silicon optical devices by refractive index controllable-nature). Technical report of IEICE. LQE 99− 17, 7 (1999).
  31. Lee, J.S.; Sugou, S.; Ren, H.-W.; Masumoto, Y. In-situ ellipsometric study of the formation process of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown dots. J. Vac. Sci. Technol. B. 17, 1341− 1345 (1999).
  32. Davydov, V.; Ignatiev, I.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Observation of built-in electric field in InP self-assembled quantum dot systems. Appl. Phys. Lett. 74, 3002−3004 (1999).
  33. Qi, J.; Matsumoto, T.; Tanaka, M.; Masumoto, Y. Electroluminescence of europium silicate thin film on silicon. Appl. Phys. Lett. 74, 3203− 3205 (1999).
  34. Lee, J.S.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Spontaneous nanostructure formation on GaAs(211)B substrate. J. Cryst. Growth. 205, 467− 473 (1999).
  35. Lee, J.S.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Real-time observation of ellipsometry oscillation during GaAs layer by metalorganic vapor-phase epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys. 38, L614-L616 (1999).
  36. Lee, J.S.; Sugou, S.; Ren, H.-W.; Masumoto, Y.; Kurihara, K. In-situ monitoring of In 0.5Ga0.5As quantum dot formation during metalorganic vapor phase epitaxy by fast-nulling ellipsometry. Appl. Surf. Science. 141, 114 (1999).
  37. Lee, J.S.; Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Spontaneous lateral alignment of multistacked In0.45Ga0.45As quantum dots on GaAs(311)B substrate. J. Cryst. Growth. 200, 77 (1999).
  38. Zhukov, E.A.; Masumoto, Y.; Muljarov, E.A.; Romanov, S.G. Pump-probe studies of photoluminescence of InP quantum wires embedded in dielectric matrix. Solid State Commun. 112, 575−580 (1999).
  39. Satake, A.; Masumoto, Y.; Miyajima, T.; Asatsuma, T.; Ikeda, M. Two-dimensional exciton dynamics and gain formation processes in InxGa1-xN multiple quantum wells. Phys. Rev. B. 60, 660− 666 (1999).
  40. Tsurumachi, N.; Abe, M.; Arakawa, M.; Yoda, T.; Hattori, T.; Qi, J.; Masumoto, Y.; Nakatsuka, H. Time response of one-dimensional photonic crystals with a defect layer made of semiconductor quantum dots. Jpn. J. Appl. Phys. 38 (Part2, 12A), L1400−L1402 (1999).
  41. Tanaka, M.; Masumoto, Y. Very weak temperature quenching in orange luminescence of ZnS : Mn 2+ nanocrystals in polymer. Chem. Phys. Lett. 324, 249 (2000).
  42. Morishima, S.; Maruyama, T.; Tanaka, Y.; Masumoto, Y.; Akimoto, K. Growth of Eu doped GaN and electroluminescence from MIS structure. Phys. Status solidi (a). 176, 113−117 (1999).
  43. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Nair, S.V.; Sugou, S.; Okuno, T.; Masumoto, Y. Imaging and single dot spectroscopy of InP self-assembled quantum dots. J. Lumin. 87?89, 40−45 (2000).
  44. Tokunaga, E.; Ivanov, A.L.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. Inverse exciton series for observation of bipolariton coupling. J. Lumin. 87?89, 216− 218 (2000).
  45. Nair, S.V.; Masumoto, Y. Coulomb effects in the optical spectra of highly excited semiconductor quantum dots. J. Lumin. 87− 89, 438−440 (2000).
  46. Kozin, I.; Ignatiev, I.; Nair, S.V.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. LO phonon resonances in photoluminescence spectra of InP self assembled quantum dots in electric field. J. Lumin. 87− 89, 441−443 (2000).
  47. Tanaka, M.; Qi, J.; Masumoto, Y. Comparison of energy levels of Mn2+ in nanosized- and bulk-ZnS crystals. J. Lumin. 87− 89, 472−474 (2000).
  48. Baranov, A.V.; Yamauchi, S.; Masumoto, Y. Softening of the LO phonon in excited state of CuCl nanocrystals. J. Lumin. 87?89, 500− 502 (2000).
  49. Baranov, A.V.; Davydov, V.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Phonon-enhanced intraband transitions in InAs self-assembled quantum dots. J. Lumin. 87?89, 503 −505 (2000).
  50. Davydov, V. ; Ignatiev, I.; Kozin, I.; Lee, J.-S.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Unusual temperature behavior of the photoluminescence of InP and InGaAs quantum dots under quasiresonant excitation. J. Lumin. 87 −89, 522− 524 (2000).
  51. Qi, J.; Tanaka, M.; Masumoto, Y. Temperature dependent luminescence of europium aggregates in NaCl . J. Lumin. 87− 89, 1102−1104 (2000).
  52. Nair, S.V.; Masumoto, Y. Multi-exciton states in semiconductor quantum dots. Physica Status Solidi (a) 178, 303−306 (2000).
  53. Takahashi, M.; Toriumi, Y.; Matsumoto, T.; Masumoto, Y.; Koshida, N. Significant photoinduced refractive index change observed in porous silicon Fabry Perot resonators. Appl. Phys. Lett. 76, 1990− 1992 (2000).
  54. Ren, H.-W.; Nair, S.V.; Okuno, T.; Nishibayashi, K.; Lee, J.S.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Confinement effect in strain-induced InGaAs/GaAs quantum dots. Physica E 7, 403 −407 (2000).
  55. Lee, J.S.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Mechanism of ellipsometry monolayer oscillation during metalorganic vapor-phase epitaxy. J. Appl. Phys. 88, 196 −200 (2000).
  56. Qi, J.; Matsumoto, T.; Tanaka, M.; Masumoto, Y. Preparation of white color electroluminescent europium silicate thin films. Electrochem. Solid State Lett. 3, 239 −241 (2000).
  57. Tanaka, M.; Sawai, S.; Sengoku, M.; Kato, M.; Masumoto, Y. Luminescence properties of ZnS phosphor nanocrystals prepared by the laser-induced gas-evaporation method. J. Appl. Phys. 87, 8535− 8540 (2000).
  58. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Nishi, K.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Excitons at a single localized center induced by a natural composition modulation in bulk Ga 0.5In0.5P. Phys. Rev. B 61, 16040 −16044 (2000).
  59. Ignatiev, I.; Kozin, I.; Nair, S.V.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Carrier relaxation dynamics in InP quntum dots studied by artificial control of nonradiative losses. Phys. Rev. B 61, 15633− 15636 (2000).
  60. Lee, J.S.; Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Spontaneous one-dimensional lateral alignment of multistacked InGaAs quantum dots on GaAs(n11)B substrates. Physica E. 7, 303− 307 (2000).
  61. Yamada, H.; Tanaka, M.; Maruyama, T.; Masumoto, Y.; Yao, T.; Akimoto, K.. Efficient luminescence from Sm doped ZnSSe/undoped-ZnS multi-quantum wells. J. Cryst. Growth, 214-215, 935−938 (2000).
  62. Lee, J.S.; Sugou, S.; Masumoto, Y. In-situ observation of ellipsometry monolayer oscillations of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown V- X compound materials. J. Cryst. Growth. 209, 614 (2000).
  63. Tokunaga, E.; Ivanov, A.L.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. Biexciton wavefunction in bulk CuCl probed by inverse polariton series. Physica Status solidi B 221, 000 (2000).
  64. Tanaka, M.; Qi, J.; Masumoto, Y. Optical properties of undoped and Mn+2 doped nanocrystals in polymer. J. Cryst. Growth. 214− 215, 410−414 (2000).
  65. Baranov, A.V.; Davydov, V.; Fedorov, A.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Coherent control of stress-induced InGaAs quntum dots by means of phonon-assisted resonant photoluminescence. Phisica Status Solidi. in press .
  66. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Osad’ko, I.; Nishi, K.; Masumoto, Y. Origin of the fluorescence intermittency in InP self-assembled quantum dots. Phisica Status solidi. in press .
  67. Nair, S.V.; Masumoto, Y. Multi-exciton states and many-body correlations in quantum dots. Phisica Status solidi. in press.
  68. Davydov, V.; Ignatiev, I.; Kozin, I.; Nair, S.V.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Carrier relaxation dynamics in self-assembled quantum dots studied by artificial control of nonradiative losses. Phisica Status Solidi. in press .
  69. Miyajima, T.; Hino, T.; Tomiya, S.; Satake, A.; Tokunaga, E.; Masumoto, Y.; Maruyama, T.; Ikeya, M.; Morishita, S.; Akimoto, K.; Yanashima, K.; Hashimoto, S.; Kobayashi, T.; Ikeda, M. Non-radiative nature of threading dislocations in GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition. Jpn. J. Appl. Phys. in press.
  70. Muljarov, E.A.; Zhukov, V.S.; Dneprovskii, V.S.; Masumoto, Y. Dielectrically enhanced excitons in semiconductors-insulator quantum wires: Theory and experiment. Phys. Rev. B. in press.
  71. Ignatiev, I.; Kozin, I.; Davydov, V.; Nair, S.V.; Lee, J.S.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Phonon resonances in photoluminescence spectra of self-assembled quntum dots in electric field. Phys. Rev. B. in press.
  72. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Nair, S.V.; Nishi, K.; Masumoto, Y. Many carrier effects in self-assembled InP quantum dots. Solid State Commun. in press.
  73. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Nishi, K.; Masumoto, Y. Photoluminescence and micro-imaging study of optically anisotropic InP self-assembled quantum dots. Solid State Commun. in press.
  74. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Nishi, K.; Masumoto, Y. Excitons in InP self-assembled quantum dots: Imaging and single dot spectroscopy. Phys. Rev. B. submitted .
  75. Zhao, J.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. Exciton-phonon coupled states in CuCl quantum cubes. Phys. Rev. B. submitted.
  76. Ignatiev, I.; Kozin, I.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Anti-Stokes photoluminescence of InP self-assembled quantum dots in the presence of electric current. Phys. Rev. B. submitted.
  77. Ren, H.-W.; Nair, S.V.; Lee, J.-S.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Photoluminescence of strain induced coupled InGaAs/GaAs quantum dot-pairs. J. electronic Materials. submitted.
  78. Qi, J.; Matsumoto, T.; Masumoto, Y. Fabrication of silicon oxide wires. Appl. Phys. Lett. submitted.
  79. Qi, J.; Matsumoto, T.; Tanaka, M.; Masumoto, Y. Europium silicate thin films on Si substrates fabricated by radio frequency sputtering method. J. Phys. D. submitted.
  80. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Nishi, K.; Masumoto, Y. Origin of fluorescence intermittency in self-assembled InP quantum dots. Phys. Rev. Lett. submitted.
  81. Tanaka, M.; Qi, J.; Masumoto, Y. Electronic level structure of Mn+2 doped into CdS nanocrystals. Phys. Rev. B. submitted.
  82. Tanaka, M.; Qi, J.; Masumoto, Y. Luminescence properties and excitation mechanism of Mn+2 doped into CdS nanocrystals. Physica E. submitted.
  83. Qi, J.; Guo, X.; Sakurai, K.; Tanaka, M.; Masumoto, Y. Local structures around Mn ions in ZnS:Mn nanocrystals. J. Synchrotron Radiation (The 11th International Conference on X-ray Absorption Fine Structure. Ako, Japan, July 2000). submitted.
  84. Qi, J.; Guo, X.; Sakurai, K.; Tanaka, M.; Masumoto, Y. Atomic structure around Mn ions in Zn 1-xMnxS nanocrystals prepared by colloidal chemistry procedure. Scripta Materialia (Elsevier Science). submitted .
  85. Tokunaga, E.; Ivanov, A.L.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. Hopfield coefficients by inverse polariton series. Phys. Rev. Lett. submitted.
  86. Masumoto, Y.; Ignatiev, I.; Kozin, I.; Davydov, V.; Nair, S.V.; Ren, H.-W.; Lee, J.S.; Sugou, S. Breakdown of the phonon bottleneck effect in self-assembled quantum dots. Jpn. J. Appl. Phys. submitted.
II. Meetings
  1. Matsumoto, T.; Masumoto, Y.; Nakashima, S.; Mimura, H.; Koshida, N. Coupling effect of surface vibration and quantum confinement carriers in porous silicon. International Conference on Solids Films and Surfaces, Toyonaka, Japan, July 1996. The book of abstracts Thc− 2, 91.
  2. Masumoto, Y.; Sonobe, K.; Sakakura, N. Persistent hole burning spectroscopy of semiconductor quantum dots. 23rd International Conference on Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, Aug. 1996. Proc. 2, 1481 −1484.
  3. Matsumoto, T.; Masumoto, Y.; Nakashima, S.; Mimura, H.; Koshida, N. Photoluminescence from deuterium terminated porous silicon. 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, Japan, Aug. 1996. Extended abstracts 709− 711.
  4. Ren, H.-W.; Nishi, K.; Sugou, S.; Sugisaki, M.; Masumoto, Y. The effect of annealing on the self-assembled InAs and InP islands in molecular beam epitaxy. International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, Nov. 1996.
  5. Matsumoto, T.; Masumoto, Y.; Koshida, N. Optical Properties of deuterium terminated porous silicon. Materials Research Society Symposium, Boston, USA, Dec. 1996. Proc. 452, 449−454.
  6. Matsumoto, T.; Masumoto, Y.; Mimura, H. Luminescence spectral narrowing in porous silicon anodized with monochromatic light. Materials Research Society Symposium, Boston, USA, Dec. 1996. Proc. 452, 535− 540.
  7. Matsumoto, T.; Masumoto, Y.; Koshida, N. Reduction of luminescence degradation using deuterium terminated porous silicon. 191st Meeting of Electrochemical Society, Montreal, Canada, May 1997.
  8. Sugisaki, M.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Nishi, K.; Okuno, T.; Masumoto, T. Optical anisotropy in InP quantum dots. Workshop on Naval Research Laboratory: Recent Advances in the Physics of Single Quantum Dots, Washington D.C., USA, July 1997. Proc. 32.
  9. Masumoto, T.; Kawazoe, T.; Matsuura, N. Exciton-confined-phonon interaction in quantum dots. The 11th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids, Mittelberg, Germany, July 1997.
  10. Matsumoto, T.; Kondo, M.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. Inverted Staebler-Wronski effect in nanocrystalline silicon. International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors, Budapest, Hungary, Aug. 1997.
  11. Ren, H.-W.; Nishi, K.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Size quantization in InAs/GaAs self-assembled quantum dots grown by gas-source molecular beam epitaxy. International Conference on Solid State Devices and Materials, Hamamatsu, Japan, Sep. 1997.
  12. Ren, H.-W.; Sugisaki, M.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Recombination processes in InAs/GaAs self-assembled single quantum dots. Materials Research Society 1997 Fall Meeting, Boston, USA, Dec. 1997.
  13. Matsumoto, T.; Masumoto, Y.; Koshida, N. Photo- and electroluminescence from deuterium terminated porous silicon. Materials Research Society 1997 Fall Meeting, Boston, USA, Dec. 1997. Proc. 486, 181− 186.
  14. Ren, H.-W.; Sugisaki, M.; Sugou, S.; Nishi, K.; Masumoto, Y. Indium segregation and its influence to the quantum structures in InAs/GaAs self-assembled quantum dots. The Third International Symposium on Advanced Physical Field (APF-3), Tsukuba, Japan, Dec. 1998.
  15. Matsumoto, T.; Kondo, M.; Masumoto, Y. Reduction of neutral dangling bond density by light soaking in nanocrystalline silicon. 1998 Material Research Society Spring Meeting, San Francisco, USA, April 1998. Proc. 507, 747 −750.
  16. Matsumoto, T.; Masumoto, Y. Electroluminescence from deuterium terminated porous silicon. International Workshop on the Deuterium and Isotope Effects in Semiconductors, Urbana, USA, April 1998.
  17. Okuno, T.; Ren, H.-W.; Sugisaki, M.; Nishi, K.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Temperature dependence of luminescence decay time of InP quantum disks. 10th International Conference on InP and Related Materials, Tsukuba, Japan, May 1998.
  18. Ren, H.-W.; Sugisaki, M.; Lee, J.S.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Uniform and small size InP/GaInP self-assembled quantum dots grown by MOVPE. 2nd International Symposium on Formation Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, May 1998.
  19. Matsumoto, T.; Arata, G.; Nair, S.V.; Masumoto, Y. Effect of surface termination on the electric states in nanocrystalline silicon. 2nd International Symposium on Formation Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, May 1998.
  20. Matsumoto, T.; Mimura, H.; Nair, S.V.; Koshida, N.; Masumoto, Y. Deep level energy states in nanocrystalline silicon determined by space-charge-limited-current measurements. 2nd International Symposium on Formation Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, May 1998.
  21. Nair, S.V.; Masumoto, Y. Exciton-phonon interaction and phonon frequency renormalization in semiconductor quantum dots. 2nd International Symposium on Formation Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, May 1998.
  22. Masumoto, Y. Persistent spectral-hole-burning in semiconductor quantum dots and its application to spectroscopy. 2nd International Symposium on Formation Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, May 1998.
  23. Masumoto, Y.; Davydov, V.; Ignatiev, I.; Ren, H.-W.; Sugou, S. Observation of Franz-Keldysh oscillations in InP self-assembled quantum dot systems. 2nd International Symposium on Formation Physics and Device Application of Quantum Dot Structures, Sapporo, Japan, May 1998.
  24. Prabhakaran, K.; Ogino, T.; Matsumoto, T.; Masumoto, T. Multiperiod Si/SiO2/Ge layered structure formation through chemical bond manipulation. European Materials Research Society 1998 Spring Meeting, Strasbourg, France, June 1998.
  25. Masumoto, Y.; Ikezawa, M. Control of the quantum dot energy by a photon: Observation of two-exciton and three-exciton states in quantum dots. Ioffe Institute 6th International Symposium “ Nanostructures: Physics & Technology” , St. Petersburg, Russia, June 1998. Proc. 183 −186 (1998).
  26. Davydov, V.; Ignatiev, I.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Giant optical nonlinearly of hetero-structures with InP self-assembled quantum dots. Ioffe Institute 6th International Symposium “ Nanostructures: Physics & Technology” , St. Petersburg, Russia, June 1998. Proc. 200 −203.
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  120. 松本貴裕 ; 舛本泰章 ; 三村秀典 ; 越田信義 . 空間電荷制限電流法によるポーラスシリコンのギャップ内準位の測定 . 第 45回応用物理学関係連合講演会 , 八王子市(東京工科大学 ), March 28−31, 1998.
  121. 戚 継発; 松本貴裕; 田中正規; 舛本泰章. Eu ドープシリコン微粒子からの緑色発光. 第45 回応用物理学関係連合講演会, 八王子市 ( 東京工科大学), March 28 −31, 1998.
  122. 杉崎 満; 任 紅文; 徳永英司 ; 西 研一; 菅生繁男; 奥野剛史; 舛本泰章. InP 量子点における光学異方性- 時間分解スペクトル. 第45 回応用物理学関係連合講演会 ( 八王子市, 東京工科大学), March 28 −31, 1998.
  123. 奥野剛史 ; 任 紅文; 杉崎 満; 西 研一; 菅生繁男; 舛本泰章. InP 量子点の発光寿命の温度特性. 第45 回応用物理学関係連合講演会 ( 八王子市, 東京工科大学), March 28 −31, 1998.
  124. Davydov, V.; Ignatiev, I.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y.   On the nature of carrier traps in InP quantum dots. 第45 回応用物理学関係連合講演会, 八王子市 ( 東京工科大学), March 28 −31, 1998.
  125. 松浦直紀 ; 田中正規 ; ナイア , S.V.; 舛本泰章 . 量子ドット中ドナーの電子状態と光学特性 . 日本物理学会第 53回年回 , 船橋市(日本大学 ), March 29−April 4, 1998.
  126. 戚 継発; 松本貴裕; 田中正規; 舛本泰章. Si ナノクリスタルにおける発光分光研究. 日本物理学会第53 回年会, 船橋市 ( 日本大学), March 29 −April 4, 1998.
  127. 杉崎 満 ; 任 紅文; 徳永英司; 菅生繁男; 奥野剛史; 舛本泰章. 自己形成型量子点における磁場効果. 日本物理学会第53 回年回, 船橋市 ( 日本大学), March 29 −April 4, 1998.
  128. Nair, S.V.; 舛本泰章. Lattice dynamics of semiconductor nanocrystals. 日本物理学会第53 回年会, 船橋市 ( 日本大学), March 29 −April 4, 1998.
  129. 徳永英司 ; イワノフ , A.L.; ナイア , S.V.; 舛本泰章 . CuCl 励起子逆系列発光による励起子分子波動関数の決定 . 日本物理学会第 53回年回 , 船橋市(日本大学 ), March 29−April 4, 1998.
  130. Davydov, V.; Ignatiev, I.; Ren, H.-W.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Electric charge of self-assembled InP quantum dots detected by Franz-Keldysh oscillations. 日本物理学会第53 回年回, 船橋市 ( 日本大学), March 29 −April 4, 1999.
  131. 李 定植; 任 紅文; 菅生繁男 ; 舛本泰章 . (n11)B基板上 MOVPE成長 InGaAs量子ドットの 1次元配列制御 . 第 59回応用物理学会学術講演会 , 東広島市(広島大学 ), Sep. 15−18, 1998.
  132. 西 研一; 斎藤英彰; 李 定植; 菅生繁男 . 高均一 InAs 歪緩和量子ドットからの狭線幅 (21meV) 室温 PL発光 . 第 59回応用物理学会学術講演会 , 東広島市(広島大学 ), Sep. 15−18, 1998.
  133. 田中正規 ; 戚 継発; 舛本泰章. ポリマー中ZnS:Mn ナノ結晶の光学特性(II). 第59 回応用物理学会学術講演会, 東広島市 ( 広島大学), Sep. 15 −18, 1998.
  134. 佐竹昭泰 ; 舛本泰章 ; 徳永英司 ; Davydov, V.; 宮嶋孝夫 ; 朝妻康紀 ; 池田昌夫 . InGaN多重量子井戸における励起子のダイナミクス II. 第 59回応用物理学会学術講演会 , 東広島市(広島大学 ), Sep. 15−18, 1998.
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  136. 徳永英司 ; イワノフ , A.L.; ナイア , S.V.; 舛本泰章 . CuCl 励起子逆系列発光による励起子分子波動関数の決定 II. 日本物理学会 1998年秋の分科会 , 宜野湾市(沖縄国際大学 ), Sep. 25−28, 1998.
  137. 任 紅文; 杉崎 満; 李 定植; 菅生繁男; 舛本泰章. Polarization dependence of radiative decay time in InP quantum dots. 日本物理学会1998 年秋の分科会, 宜野湾市 ( 沖縄国際大学), Sep. 25 −28, 1998.
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  139. 杉崎 満. 自己形成型単一量子点に閉じ込められた励起子の微細構造. 日本物理学会1998 年秋の分科会, 宜野湾市 ( 沖縄国際大学), Sep. 25 −28, 1998.
  140. 阿部 真; 荒川真理子; 鶴町徳昭; 戚 継発; 服部利明 ; 舛本泰章 ; 中塚宏樹 . 半導体量子ドットを欠陥層とする1次元フォトニッククリスタル . 日本物理学会 1998年秋の分科会 , 宜野湾市(沖縄国際大学 ), Sep. 25−28, 1998.
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  142. 李 定植; 任 紅文; 菅生繁男 ; 舛本泰章 . GaAs (211)B 基板上での MOVPE成長 InGaAs 微細構造の形状変化 . 第 46回応用物理学連合講演会 , 野田市(東京理科大学 ), March 28−31, 1999.
  143. 山田 永; 田中正規; 望月隆史; 丸山隆浩; 秋本克洋. Sm ドープZnS 系超格子の光学特性. 第46 回応用物理学連合講演会, 野田市 ( 東京理科大学), March 28 −31, 1999.
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  146. 杉崎 満; 任 紅文; 李 定植; 菅生繁男; 奥野剛史; 舛本泰章. 自己形成型InP 量子点における発光の顕微イメージ. 日本物理学会第54 回年会, 東広島市 ( 広島大学), March 28 −31, 1999.
  147. 任 紅文; 奥野剛史; 西林一彦; 李 定植; 菅生繁男 ; 舛本泰章 . Photoluminescence of strain-induced InGaAs/GaAs coupled quantum dot-pairs. 日本物理学会第 54回年会 , 東広島市(広島大学 ), March 28−31, 1999.
  148. Nair, S.V.; Masumoto, Y. Undressing of polarons during exciton formation: The case of CuCl. 日本物理学会第54 回年会, 東広島市 ( 広島大学), March 28 −31, 1999.
  149. Ren, H.-W.; Okuno, T.; Nishibayasi, K.; Lee, J.S.; Sugou, S.; Masumoto, Y. Fabrication and optical spectroscopy of strain-induced coupled quantum dot-pairs. Workshop on Prospects for STM-Related Sciences in Coming Decades, 仙台市 ( 東北大学), March 13, 1999.
  150. 松本貴裕 ; 高橋森生 ; 鳥海祐一 ; 戚 継発; 舛本泰章; 越田信義. ナノ構造シリコン半導体を利用した発光・非線形光学素子. 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第8 回研究集会「光るシリコンープロセス・素子技術の新展開」, 小金井市(東京農工大学 ), April 23, 1999.
  151. 李 定植; 菅生繁男; 舛本泰章. MOVPE 成長中のエリプソメトリ信号におけるモノレイヤー振動. 第60 回応用物理学会学術講演会, 神戸市 ( 甲南大学), Sep. 1 −4, 1999.
  152. 任 紅文; ナイア, S.V.; 李 定植; 菅生繁男 ; 舛本泰章 . Electric coupling in strain-induced InGaAs/GaAs coupled quantum dot-pairs. 第 60回応用物理学会学術講演会 , 神戸市(甲南大学 ), Sep. 1−4, 1999.
  153. 松本貴裕 ; 舛本泰章 ; 鈴木淳市 ; 大沼正人 . X線小角散乱および中性子小角散乱を用いた PSの構造評価と光学的性質 . 第 60回応用物理学会学術講演会 , 神戸市(甲南大学 ), Sep. 1−4, 1999.
  154. 宮島孝夫 ; 佐竹昭泰 ; 日野智公 ; 徳永英司 ; 舛本泰章 ; 池田昌夫 . GaN 膜における貫通転位の振る舞い (3)− 発光再結合寿命の測定. 第60 回応用物理学会学術講演会, 神戸市 ( 甲南大学), Sep. 1 −4, 1999.
  155. 舛本泰章 . InP量子点におけるフォノンボトルネック効果 . 日本物理学会 1999秋の分科会 , 盛岡市(岩手大学 ), Sep. 24−27, 1999.
  156. 杉崎 満; 任 紅文; 李 定植; ナイア, S.V.; 菅生繁男; 奥野剛史; 舛本泰章. 自己形成型InP 量子点における発光の明滅現象. 日本物理学会1999 秋の分科会, 盛岡市 ( 岩手大学), Sep. 24 −27, 1999.
  157. 徳永英司 ; イワノフ , A.L.; ナイア , S.V.; 舛本泰章 . CuCl 励起子逆系列発光による励起子分子波動関数の決定 IV. 日本物理学会 1999秋の分科会 , 盛岡市(岩手大学 ), Sep. 24−27, 1999.
  158. 徳永英司 ; 舛本泰章 . マルチチャンネルダブルロックインによる単一粒子・ 2次元分光 . 日本物理学会 1999秋の分科会 , 盛岡市(岩手大学 ), Sep. 24−27, 1999.
  159. 薄倉淳子 ; 鈴木宣之 ; ナイア , S.V.; 徳永英司 ; 舛本泰章 . 確率論的変分法を用いた励起子分子の光学的発光強度の計算 . 日本物理学会 1999秋の分科会 , 盛岡市(岩手大学 ), Sep. 24−27, 1999.
  160. Nair, S.V.; Masumoto, Y. Electronic structure of strain-induced coupled quantum dots. 日本物理学会1999 秋の分科会, 盛岡市 ( 岩手大学), Sep. 24 −27, 1999.
  161. 田中正規 ; 戚 継発; 舛本泰章. 半導体ナノ結晶中の局在中心の発光特性. 蛍光体同学会東京 ( 東京大学生産技術研究所), Nov. 19, 1999.
  162. 杉崎 満; 任 紅文; 李 定植; ナイア, S.V.; 西 研一; 菅生繁男 ; 奥野剛史 ; 舛本泰章 . 自己形成型 InP量子点の顕微イメージと発光スペクトル . 第 10回光物性研究会 , 大阪(大阪市立大学学術情報総合センター ), Nov. 26−27, 1999.
  163. Qi, J.; Matsumoto, T; Taya, S.; Kondo, K.; Tanaka, M; Masumoto, Y. ユウロピ ウム珪素酸化物薄膜の電界発光 . 日本学術振興会光電相互変換第 128委員会 EL分科会第 21回研究会 , 東京 (弘済会館 ), Nov. 17, 1999.
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  165. Ignatiev, I.; Kozin, I.; Nair S.V.; Ren, H.-W.; 菅生繁男 ; 舛本泰章 . 電界下の InP量子ドットの発光スペクトル (T ):キャリアーの緩和ダイナミクス . 第 47回応用物理学関係連合講演会 , 東京(青山学院大学 ), March 28−31, 2000.
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  167. Ignatiev, I.; Kozin, I.; Nair S.V.; Ren, H.-W.; 菅生繁男 ; 舛本泰章 . 電界下の InP量子ドットの発光 ), March 28−31, 2000.
  168. 李 定植; 西 研一; 舛本泰章 . GaAs(n11)基板上 MOVPE成長 InGaAs量子ドットの形状制御 . 第 47回応用物理学関係連合講演会 , 東京(青山学院大学 ), March 28−31, 2000.
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  171. Ignatiev, I.; Kozin, I.; Nair S.V.; Ren, H.-W.; 菅生繁男 ; 舛本泰章 . InP量子ドットにおけるアンチストークス発光 . 日本物理学会 2000春の分科会,吹田市(関西大学 ), March 22−25, 2000.
  172. 戚 継発; 郭 暁梅; 桜井健次 ; 田中正規 ; 原田雅章 ; 舛本泰章 . ZnSナノ結晶中にドープされた Mnイオンの局所構造 . 日本物理学会 2000春の分科会,吹田市(関西大学 ), March 22−25, 2000.
  173. 徳永英司 ; 任 紅文; 西 研一; 舛本泰章 . マルチチャンネルダブルロックインによる単一粒子・ 2次元分光U . 日本物理学会 2000春の分科会,吹田市(関西大学 ), March 22−25, 2000.
  174. 徳永英司 ; イワノフ , A .; ナイア , セルバクマール ; 舛本泰章 . CuCl励起子逆系列発光による励起子分子波動関数の決定X . 日本物理学会 2000春の分科会 , 吹田市(関西大学 ), March 22−25, 2000.
  175. 舛本泰章 . 量子ドットにおける励起子のダイナミックス . 東京大学物性研究所短期研究会「量子構造体における励起子」 . 東京(東京大学物性研究所 ), April 24, 2000.
  176. 田中正規 . U -Y族半導体ナノ結晶中の局在中心 . 蛍光体同学会 , 特定研究会(超微粒子蛍光体 ),東京(三菱化学本社 ), April 21, 2000.
  177. 舛本泰章 . 高分解能電子分光が明かす低次元系新物性 . 高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所 放射光研究施設 (PF) 研究会. つくば市, May 9, 2000.
  178. 戚 継発; 舛本泰章. シリコン系戚ナノワイヤーの作製と観察.つくば地区合同フォーラム−クラスター・超微粒子・ナノ構造− , つくば市 , June 14−15, 2000.
  179. Baranov, A; Davydov, V.; Fedorov, A.; Ren, H.-W.; 菅生繁男 ; 舛本泰章 . 共鳴二次発光を用いた歪誘起 InGaAs/GaAs量子点の位相緩和測定 . 日本物理学会第 55回年次大会 , 新潟市(新潟大学 ), Sep. 22−25, 2000. 
  180. 西林一彦 ; 奥野剛史 ; 三品具之 ; 菅生繁男 ; 任 紅文; 舛本泰章. 歪み誘起GaAs 量子点の非線形発光. 日本物理学会第55 回年次大会, 新潟市 ( 新潟大学), Sep. 22 −25, 2000.
  181. 薄倉淳子 ; Nair, S.V.; 徳永英司 ; 舛本泰章 . 確率論的変分法による励起子分子発光強度の計算U . 日本物理学会第 55回年次大会 , 新潟市(新潟大学 ), Sep. 22−25, 2000. 
  182. 徳永英司 ; 李 定植; 任 紅文; 西 研一; 舛本泰章. マルチチャンネルダブルロックインによる単一粒子・2次元分光V . 日本物理学会第 55回年次大会 , 新潟市(新潟大学 ), Sep. 22−25, 2000.
III. Reviews and Books
  1. Masumoto, Y. “Persistent spectral hole burning in quantum dots.” in Prog. Cryst. Growth Charact. 33, 65− 72 (1996).
  2. Masumoto, Y. Luminescence of low-dimensional systems. CRC Press 「Phosphor Handbook: ed. S. Shionoya and W.M. Yen」 71 (1998).
  3. 舛本泰章 . “ 分子のようにふるまう半導体量子点−永続的ホールバーニングと間欠的発光現象 .” 日本物理学会誌. 54, 431 −439 (1999).
  4. 舛本泰章 . 半導体微粒子 . 共立出版株式会社「実験物理科学シリーズ4 メゾスコピック伝導 : 田沼静一 , 家泰弘 編」261− 277 (1999).
  5. 杉崎 満; 任 紅文; 舛本泰章 . 顕微イメージで探る半導体量子点に閉じ込められた励起 子. 固体物理. 35, 35 −45 (2000).
  6. 舛本泰章 . ナノ結晶のレーザー分光 . 丸善株式会社「実験物理学講座9 レーザー測定 : 櫛田孝司 編 第7章第3節」294 −308 (2000).
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