[学会・講演] 喜多 浩之 准教授(東京大学 大学院工学系研究科)【さきがけ】

<国際学会>
招待講演
Achievement of Nearly-Ideal MOS Characteristics on 4H-SiC (0001) Based on Kinetic and Thermodynamic Control of Thermal Oxidation
18th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM 2014),Kinsale, Ireland
2014/6/9
Understanding of Growth Kinetics of Thermal Oxides on 4H-SiC (0001) for Control of MOS Characteristics
225th Meeting of the Electrochemical Society, Orland, FL,USA
2014/5/12
口頭発表
Reduction of Defect State Density at SiO2/SiC Interface Formed by the Thermal Oxidation Accompanied with Direct CO Generation
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014),つくば国際会議場
2014/9/11
Understanding of Growth Kinetics and Microscopic Structures of Nanometer-thick Thermal Oxides on 4H-SiC
2013 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2013 IWDTF), Tsukuba Univ., Tokyo
2013/11/9
Structural Difference between Near Interface Oxides Grown on Si and C Faces of 4H-SiC Characterized by FTIR-ATR Method
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013), Seagaia Resort, Miyazaki
2013/10/1
ポスター発表
Generation and Suppression of Oxidation Byproducts at 4H-SiC C-face/SiO2 Interface Characterized by Infrared Spectroscopy
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014),つくば国際会議場
2014/9/10
Quantitative Characterization of Border Traps with Widely-Spread Time Constant in SiC MOS Capacitors by Transient Capacitance Measurements
2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014),つくば国際会議場
2014/9/10
Re-investigation of the Post-oxidation Effects on 4H-SiC MOS Interface with High-Temperature Thermal Oxide
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013), Seagaia Resort, Miyazaki
2013/10/2
<国内学会>
口頭発表
SiC MOS界面近傍の膜中欠陥モデルを用いた容量の過渡応答による遅い準位の定量的解析手法の提案
第75回 応用物理学会秋季学術講演会,北海道大学
2014/9/17
4H-SiC 表面酸化機構の酸化温度と酸素分圧による違いの理解
第61回 応用物理学会春季学術講演会,青山大学相模原キャンパス
2014/3/18
熱力学および速度論的知見に基づく低界面欠陥密度4H-SiC(0001) MOS の実現
第61回 応用物理学会春季学術講演会,青山大学相模原キャンパス
2014/3/18
4H-SiC(000-1)C 面におけるwet 酸化界面構造の雰囲気による相違
第61回 応用物理学会春季学術講演会,青山大学相模原キャンパス
2014/3/18
薄膜領域における4H-SiC熱酸化膜形成機構の理解
第19回ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理-
2014/1/25
4H-SiC熱酸化膜の薄膜領域(<10nm)における直線的な成長過程の検証
第74回 応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学
2013/9/17
4H-SiC熱酸化膜の界面近傍の構造変化に対する面方位と酸化雰囲気の効果
第74回 応用物理学会秋季学術講演会,同志社大学
2013/9/17
4H-SiC熱酸化膜におけるFTIR-ATRピーク位置の膜厚依存変化とその因子
第60回春季 応用物理学会学術講演会,神奈川工科大学
2013/3/28
FT-IR測定による4H-SiC表面の極薄熱酸化膜の構造評価
第73回秋季 応用物理学会学術講演会,松山大学
2012/9/12

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