開催スケジュール
9：20〜	受付開始
9：50〜10：00	開会挨拶	研究総括　渡辺 久恒
10：00〜10：45	基調講演「エレクトロニクスの未来を担う材料革新」	東京工業大学 フロンティア研究機構　教授 細野 秀雄
セッション①　座長：領域アドバイザー 財満 鎭明（名古屋大学大学院工学研究科　教授）
10：45〜11：20	「ナノスケール機械工学で診る多層配線構造」	名古屋工業大学大学院 工学研究科　教授 神谷 庄司
11：20〜11：55	「電気化学トランジスタ混載による新機能LSI」	（独）物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 主任研究者 長谷川 剛
11：55〜13：30	昼食休憩
セッション②　座長：領域アドバイザー 福間 雅夫（一般社団法人 半導体産業研究所　代表理事所長）
13：30〜14：05	「原子配列だけで回路性能を予測できるシミュレータ」	大阪大学大学院 工学研究科　准教授 森 伸也
14：05〜14：40	「計算物理で探るグラフェン複合構造デバイス」	筑波大学大学院 数理物質科学研究科 准教授 岡田 晋
14：40〜16：20	ポスターセッション（100分） 13チーム・ポスター発表
セッション③　座長：領域アドバイザー 大野 英男（東北大学 電気通信研究所　教授）
16：20〜16：55	「スピン流だけで動作する省エネナノデバイス」	九州大学大学院 理学研究院　教授 木村 崇
16：55〜17：30	「電圧駆動のスピンエレクトロニクスを開拓」	（独）産業技術総合研究所 ナノスピントロニクス 研究センター　センター長 湯浅 新治
17：30〜18：00	CREST全体講評	研究総括　渡辺 久恒
18：00〜20：00	意見交換会

ポスター発表チーム
H19年度採択研究代表者 尾辻チーム 【グラフェン・オン・シリコン材料・デバイス技術の開発】 佐々木チーム 【真空紫外レーザー光発生用非線形光学結晶の開発】
H20年度採択研究代表者 遠藤チーム 【縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発】 木下チーム 【コヒーレントEUV光を用いた極微パタン構造計測技術の開発】 鳥海チーム 【Ge High−k CMOSに向けた固相界面の理解と制御技術の開発】 前川チーム 【数値シミュレーションによる新材料・新機能の開発】 松井チーム 【超高速ナノインプリントリソグラフィ技術のプロセス科学と制御技術の開発】
H21年度採択研究代表者 岡田チーム 【計算科学によるグラファイト系材料の基礎物性解明とそのデバイス応用における設計指針の開発】 神谷チーム 【高密度多層配線・三次元積層構造における局所的機械強度の計測手法の開発】 木村チーム 【電荷レス・スピン流の三次元注入技術を用いた超高速スピンデバイスの開発】 長谷川チーム 【３端子型原子移動不揮発性デバイス「アトムトランジスター」の開発】 森チーム 【原子論から始まる統合シミュレータの開発】 湯浅チーム 【革新的プロセスによる金属／機能性酸化物複合デバイスの開発】