トピックス

2013年6月24日: CREST田川チームが「次世代の半導体製造の速度を１０倍以上にする技術を確立」しました。
この成果は、第30回国際フォトポリマーコンファレンスで発表されました。大阪大学・JSTの共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
大阪大学・JSTのプレスリリース
2013年6月23日: CREST湯浅チームが「電圧による磁化制御を高効率化?電圧駆動型の低消費電力スピントロニクス素子の開発を加速?」しました。
この成果は、Applied Physics Expressで発表されました。産総研・JSTの共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
産総研・JSTのプレスリリース
2013年6月7日: CREST大毛利チームが「独自技術の雑音プローブに開発したICを搭載し、電子デバイスの雑音特性を広帯域で計測可能に」しました。
この成果は、VLSI Symposia on Technology and Circuitsで発表されました。筑波大学・ディー・クルー・テクノロジーズ株式会社・東京工業大学の共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
筑波大学・ディー・クルー・テクノロジーズ株式会社・東京工業大学のプレスリリース
2013年2月18日: 第2回公開シンポジウム「半導体技術のパラダイム革新に挑戦」にご参加下さいましてありがとうございました。来年度も第３回目を開催予定です。どうぞご期待ください。
2012年12月10日: CREST大毛利チーム渡邉グループが「半導体デバイスの高速化・省電力化の限界は、流れる電子の数で決まる技術開発のロードマップにも影響する理論的限界を解明」しました。
この成果は、IEEE International Electron Device Meeting（IEDM）で発表されました。早稲田大学のプレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
早稲田大学のプレスリリース
2012年12月10日: CREST菅原チームが「CMOSロジックの消費電力を大幅に削減する新しいデバイス・回路技術を確立」しました。
この成果は、IEEE International Electron Device Meeting（IEDM）で発表されました。東京工業大学のプレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
東京工業大学のプレスリリース
2012年11月30日: CREST岡田チームが「イオン性分子を塗布してグラフェンを半導体化できることを理論的に提示」しました。
この成果は、Applied Physics Lettersで発表されました。JST、産総研、筑波大学の共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
JST・産総研・筑波大学のプレスリリース
2012年11月1日: 第2回公開シンポジウム「半導体技術のパラダイム革新に挑戦」のご案内を掲載しました。ウェブサイトより参加登録を受け付けております（日英同時通訳、参加無料、定員300名）。皆様のご参加を、心よりお待ち申し上げております。
2012年9月11日: 本ＣＲＥＳＴの研究代表者である物質材料研究機構長谷川剛主任研究者が「Volatile/Nonvolatile Dual-Functional Atom Transistor」について、第34回（2012年度）応用物理学会優秀論文賞を受賞されました。詳細は以下のURLをご参照下さい。
第34回（2012年度）応用物理学会論文賞受賞者紹介
2012年9月11日: 本ＣＲＥＳＴの秋永チームの産業技術総合研究所浅沼周太郎主査が「(Nd,Sm)NiO3電気二重層トランジスタの動作特性」について、第32回(2012年春季)応用物理学会講演奨励賞を受賞されました。詳細は以下のURLをご参照下さい。
第32回（2012年春季）応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介
2012年7月11日: 本ＣＲＥＳＴの研究代表者である大阪大学佐々木孝友名誉教授が表彰技術「CLBO非線形光学素子」について、第37回(平成24年度)井上春成賞を受賞されました。この賞は、大学や研究機関等の研究成果をもとに企業化した技術の中から特に優れた研究者や企業について表彰されるものです。詳細は以下のURLをご参照下さい。
井上春成賞ウェブサイト
2012年7月9日: 本ＣＲＥＳＴの研究代表者である(独)日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター前川禎通センター長が「2012 IUPAP Magnetism Award and Neel Medal」を受賞しました。この賞は近代磁気物理学の創始者であるネール博士を記念し、磁気物理学の分野で顕著な貢献をした科学者に対して 3年に一度贈られるものです。詳細は以下のURLをご参照下さい。
先端基礎研究センターの発表
2012年5月21日: CREST岡田チームが「カーボンナノチューブの高効率光電変換機構を解明」しました。
この成果は、Physical Review Letters (vol. 108, 227401 (2012))で発表されました。JSTと筑波大学の共同プレスリリースの詳細は以下のURLをご参照下さい。
JST・筑波大学のプレスリリース
2012年3月9日: CREST木村チームが「純スピン流の生成効率を大幅向上することに成功」しました。
この成果は2012年3月9日（英国時間）にネイチャーパブリッシンググループ（ＮＰＧ）「ＮＰＧａｓｉａｍａｔｅｒｉａｌｓ」のオンライン速報版に掲載されました。
さらに続報として、米国物理学会の論文誌「ＰｈｙｓｉｃａｌＲｅｖｉｅｗＢ（ＲａｐｉｄＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）」のオンライン速報版が近日中に公開されます。詳細は以下のURLをご参照下さい。
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20120309/index.html
2012年1月31日: CREST秋永チームが「モットトランジスタの開発」に向けて「強相関電子材料を絶縁体から金属へ変化させること」に成功しました。
この成果は、Advanced Materials（Vol. 23, pp.5822-5827 (2011)）で発表されました。
詳細は以下のURLをご参照下さい。
産業技術総合研究所の成果紹介URL
2011年12月20日: 秋永チーム、長谷川チーム、湯浅チームが合同で国際シンポジウム　　　　　「Frontier of Functional-Oxide Nano Electoronics」を2011年11月10～11日に
物質･材料研究機構で開催されました。（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://www.jst.go.jp/report/2011/111219.html/
2011年12月8日: CREST大毛利チームが「立体構造トランジスタのドレイン電流雑音の低減機構」を明らかにしました。
この成果は2011年12月7日（米国東部時間）に International Electoron Devices Meeting（IEDM）2011で発表されました。
詳細は以下のURLをご参照下さい。
筑波大学のプレスリリース
2011年12月7日: CREST岡田チームの大谷研究グループ長らが「絶縁体基板表面へのグラフェンの吸着機構を理論的に解明」することに成功しました。
この成果は2011年12月6日（米国東部時間）にInternational Electoron Devices Meeting（IEDM）2011で発表されました。
詳細は以下のURLをご参照下さい。
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20111207/index.html
2011年11月25日: 第1回公開シンポジウムが開催されました。皆様の積極的なご参加に感謝しております。第2回シンポジウムも続けて来年度開催の予定です。
2011年11月18日: JST戦略的推進事業の移転に伴い、CRESTオフィスもJST東京本部別館（K’sビル）に移転しました
JSTへのアクセスはこちらをクリックください。
2011年11月8日: CREST尾辻チームが「Si基板上に成長させたグラフェンの多機能化」に成功しました。
この成果は2011年11月9日付でApplied Physics Express版に掲載されました。
詳細は以下のURLをご参照下さい。
東北大学のニュースリリース
 SPring-8のプレスリリース
2011年10月24日: 木下チームの主催で「New SUBARUシンポジウム2011」を2011年11月18日に
TKP東京駅八重洲カンファレンスセンターで開催されました。
2011年10月21日: 第1回公開シンポジウムは会場定員（200名）になりましたので、参加申込みを締め切りました。皆様のご登録に感謝しております。
2011年9月5日: 第1回公開シンポジウムのご案内を掲載しました。
幅広い皆様のご参加を、心よりお待ち申し上げております。

会場定員（200名）になりましたので、参加申込みを締め切りました。たくさんのご参加ありがとうございます。(2011年10月21日)

ポスター、リーフレットはこちらからダウンロードできます。
2011年9月5日: 平成22年度の公開研究成果を更新しました。
2011年7月21日: 二瓶チームの研究終了報告書、事後評価結果を更新しました。
2011年6月14日: （独）日本原子力研究開発機構前川チームらが「励起電子の軌道状態の測定手法」を開発しました。
この成果は2011年6月14日付でPhysical Review B online版に掲載されました。
詳細は以下のURLをご参照下さい。
（独）日本原子力研究開発機構のニュースリリース
 高エネルギー加速器研究機構のプレスリリース
2011年4月11日: 本ＣＲＥＳＴの研究代表者である兵庫県立大学木下博雄教授が平成23年度科学技術分野の文部科学大臣表彰(科学技術賞(研究部門))を受賞されました。
（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://www.mext.go.jp/b_menu/houdou/23/04/1304367.htm
2011年3月31日: 平成19年度採択チームの中間評価結果を更新しました。
2011年3月3日: CREST岡田チームが「絶縁体基板上のグラフェンの電子状態を理論的に解明」しました。
この成果はPhysical Review Letters online版に近日中に掲載されます。
2011年2月4日: CREST「電荷レス・スピン流の三次元注入技術を用いた超高速スピンデバイスの開発」プロジェクト
（木村　崇　研究代表者）研究員募集の案内[募集終了しました]
2010年12月24日: （独）物質・材料研究機構長谷川剛主任研究者らが「１００万分の１の消費電力で、演算も記憶も行う新しいトランジスタ」の開発に成功しました。
この成果は2010年12月24日付でApplied Physics Express(APEX) online版に掲載されました。
2010年12月8日: 東京大学鳥海教授らが「電子・正孔ともに世界最高移動度を持つゲルマニウム電界効果トランジスター」の開発に成功しました。
この成果は12月6日から8日（現地時間）に米国・サンフランシスコで開催された
電子デバイス国際会議（ＩＥＤＭ）で発表されました。
2010年11月19日: 本ＣＲＥＳＴの研究代表者である兵庫県立大学木下博雄教授が第10回(平成22年度)山崎貞一賞を受賞されました。
（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://www.mst.or.jp/prize/2010/handoutai.html
2010年11月18日: 田川チームの主催で「EUVレジスト国際シンポジウム」を2010年11月17～18日に
大阪大学中ノ島センターで開催されました。（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://www.jst.go.jp/report/2010/110209.html
2010年11月10日: 尾辻チームの主催で2nd ISGD 2010 「グラフェンデバイスのテクノロジー、物理、モデリングに関する国際シンポジウム」が2010年10月27～29日に
東北大学で開催されました。（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://www.jst.go.jp/report/2010/101110.html
2010年9月27日: （独）日本原子力研究開発機構前川チームらが「絶縁体からの熱電発電」に成功しました。
この成果は2010年9月26日付でNature Materials online版に掲載されました。
詳細は以下のURLをご参照下さい。
（独）日本原子力研究開発機構のニュースリリース
 東北大学のプレスリリース
2010年9月1日: 平成21年度の公開研究成果を更新しました。
2010年6月18日: 東京大学鳥海教授らが「世界最高性能のゲルマニウムトランジスターの開発」に成功しました。
この成果は6月15日から17日（現地時間）に米国ハワイで開催された
ＶＬＳＩテクノロジーシンポジウムで発表されました。
2010年6月8日: （独）日本原子力研究開発機構前川チームらが「超伝導体への磁気注入」に世界で初めて成功しました。
この成果は2010年6月6日付でNature Materials online版に掲載されました。
詳細は以下のURLをご参照下さい。
（独）日本原子力研究開発機構のニュースリリース
 東北大学のプレスリリース
2010年5月10日: 二瓶チームがIITC2010で行うCREST研究成果が日経BP社の「Tech-On!」でも紹介されました。（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20100510/182415/
2010年4月14日: 二瓶チームがIITC2010 (配線分野の最も大きな国際会議) で行うＣＲＥＳＴ研究成果が注目論文に選ばれました。
IITC2010は6月7日～9日（現地時間）にサンフランシスコで開催されました。
http://www.btbmarketing.com/iitc/Press_Releases_2010/IITC%202010%20Tipsheet--Final.doc
2010年4月5日: 本ＣＲＥＳＴの研究代表者である九州大学木村崇教授が平成22年度科学技術分野の文部科学大臣表彰(若手科学者賞)を受賞されました。
（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://www.mext.go.jp/b_menu/houdou/22/04/1292309.htm
2010年3月11日: 本ＣＲＥＳＴ領域の研究代表者の前川教授らとの共同研究により東北大学齊藤教授が「絶縁体に電気信号を流すこと」に成功しました。
この成果は2009年3月11日付けのNatureに掲載されました。
2010年2月10日: 東北大学前川チームによる「4th International Workshop on Spin Currents
& 2nd International Workshop on Spincaloritoronics」が2010年2月8～10日に
東北大学で開催されました。（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://www-lab.imr.tohoku.ac.jp/~spincurrent/
2010年1月27日: 本ＣＲＥＳＴの研究代表者である産業技術総合研究所湯浅新治研究グループ長が第6回（平成21年度）日本学術振興会賞を受賞されました。
（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://www.jsps.go.jp/jsps-prize/ichiran_6th/17_yuasa.html
2009年11月21日: 【募集終了】 CREST「高密度多層配線・三次元積層構造における局所的機械強度の計測手法の開発」プロジェクト（神谷庄司　研究代表者）特任助教募集[募集終了しました]
2009年10月1日: 平成21年度新規研究課題の研究が開始しました。
2009年9月17日: 平成21年度新規研究課題が決定しました。
2009年9月4日: 平成20年度の公開研究成果を更新しました。
2009年7月24日: 東北大学前川チームらが「電子の量子力学的な性質とスピンを同時に考慮した
スピントロニクスデバイスのシミュレーション技術」の開発に成功しました。
この成果は7月26日からドイツ・カールスルーエで開催された
「International Conference on Magnetism(ICM2009)」で発表されました。
詳細は以下のURLをご参照下さい。
株式会社日立製作所のニュースリリース
 東北大学のプレスリリース
2009年6月19日: 東北大学尾辻チームらが「グラフェンからのテラヘルツ誘導放出」に成功しました。
この成果は6月19日（現地時間）にドイツ・ミュンヘン市で開催された
CLEO-Europe（レーザーと電子光学に関する欧州国際会議）で発表されました。
2009年5月19日: 【募集終了】CREST「超高速ナノインプリントリソグラフィ技術のプロセス科学と制御技術の開発」プロジェクト（松井チーム　中川勝　主たる共同研究者）研究員募集の案内
2009年5月14日: 【募集終了】CREST「グラフェン・オン・シリコン材料・デバイス技術の開発」プロジェクト（尾辻　泰一　研究代表者）研究員募集 [募集終了しました]
2009年3月17日: 平成21年度新規研究課題の募集を開始しました。
2009年3月8日: 東北大学前川チームらが「スピン起電力」の実証に成功しました。
この成果は2009年3月8日付けのNature Online版に掲載されました。
論文名：Electromotive force and huge magnetoresistance in magnetic tunnel junctions
2008年11月19日: 東北大学尾辻チームによる「グラフェンデバイスのテクノロジー、
物理、モデリングに関する国際シンポジウム」が2008年11月17～19日に
会津大学で開催されました。（詳細は以下のURLをご参照下さい）
http://www.otsuji.riec.tohoku.ac.jp/CREST/ISGD/?page=home
2008年10月1日: 平成20年度新規研究課題の研究が開始しました。
2008年9月3日: 平成19年度の公開研究成果を更新しました。
2008年8月27日: 平成20年度新規研究課題が決定しました。
2008年6月24日: 東北大学電気通信研究所の末光眞希教授（尾辻チーム）らが、
Si基板の上にグラフェン薄膜を作製することに世界で初めて成功しました。
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20080624/index.html
2008年6月18日: CREST12周年記念誌のご案内
2008年5月15日: 平成20年度新規研究課題の募集を締め切りました。
2008年3月18日: 平成20年度新規研究課題の募集を開始しました。
2008年3月18日: サイトを公開しました。