遷移金属触媒反応によるπ電子系おわん分子合成法の開発

研究代表者

東林 修平 (慶應義塾大学 薬学部 准教授)

研究課題の概要

おわん型π電子系分子はその構造に由来する特徴的な性質を有しています。遷移金属触媒反応を利用した効率的合成法によって、おわん型の構造を持つπ電子系分子を創出し、その独特の性質・物性を明らかにして、機能性の発現へと繋げます。

おわん型π電子系分子には高いn型半導体特性を示すものがあります。この特性を向上させるためには、分子が電子を受け入れ易くする(電子受容性を上げる)ことが必要です。電子を引き寄せる力の強い原子として知られるフッ素、およびフッ素を含むトリフルオロメチル基(電子求引性置換基)を導入したおわん型分子の合成を検討し、その合成に成功しました。これら置換体の電気化学測定より、電子求引性置換基の導入に応じて、分子の電子受容性が期待通り向上することを明らかにしました。

<研究の概要図>

higashibayashi2014

プログラム

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